DO NATYCHMIASTOWEJ PUBLIKACJI Nr 3085

Niniejszy tekst jest tłumaczeniem oficjalnej angielskiej wersji komunikatu prasowego i został zamieszczony wyłącznie dla wygody i jako tekst pomocniczy. W celu uzyskania szczegółowych informacji prosimy o zaznajomienie się z oryginalnym tekstem w języku angielskim. W przypadku jakichkolwiek rozbieżności rozstrzygająca jest wersja oryginału w języku angielskim.

Mitsubishi Electric wprowadza na rynek diodę Schottky'ego z węglika krzemu

Redukuje poziom utraty mocy oraz zapewnia mniejszy rozmiar fizyczny systemów zasilania

Wersja PDF (PDF:367.3KB)

TOKIO, 1 marca 2017 r. — firma Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ogłosiła dzisiaj, że wprowadza na rynek ze skutkiem natychmiastowym diodę Schottky'ego z węglika krzemu (SiC-SBD), w której wykorzystano strukturę bariery złączowej Schottky'ego (JBS) w celu zredukowania poziomu utraty mocy oraz zapewnienia mniejszego rozmiaru fizycznego systemów zasilania klimatyzatorów, systemów zasilania fotowoltaicznego i wielu innych urządzeń.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Cechy produktu

1)
Węglik krzemu zapewnia niższe zużycie energii i mniejszy rozmiar
-Ulepszona konwersja energii zapewnia o ok. 21% niższą utratę mocy w porównaniu do produktów krzemowych (Si)
-Umożliwia przełączanie wysokiej prędkości oraz zmniejszenie rozmiaru elementów peryferyjnych, takich jak reaktory
2)
Zwiększona niezawodność dzięki wykorzystaniu bariery złączowej Schottky'ego
-Połączenie bariery Schottky'ego ze złączem p-n
-Struktura JBS zapewnia wysoką niezawodność

Harmonogram sprzedaży

Seria Model Obudowa Specyfikacja Dostawa
SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 V 1 marca 2017 r.
BD20060S TO-247 1 września 2017 r.

Informacje są aktualne w chwili publikacji, jednak mogą ulec zmianie bez wcześniejszego powiadomienia.