Urządzenia elektroniczne

Moduły zasilania, urządzenia wysokiej częstotliwości, urządzenia optyczne, urządzenia LCD i wiele innych.

Inteligentne moduły zasilania serii G1 z modułami IGBT 7. generacji

Zastosowanie modułów IPM2 serii G1 wyposażonych w najnowsze układy IGBT1 umożliwia zmniejszenie rozmiarów i zużycia energii urządzeń przemysłowych, takich jak falowniki uniwersalne, serwowzmacniacze i windy, przy jednoczesnym zwiększeniu ich niezawodności. Dzięki linii 52 produktów należących do 6 kategorii moduły serii G1 stanowią najlepszy wybór w szerokim zakresie zastosowań i wymagań urządzeń przemysłowych.

1.
IGBT: tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (Insulated Gate Bipolar Transistor)
2.
IPM: inteligentny moduł zasilania (Intelligent Power Module)

Moduły Full SiC DIPIPM o bardzo małym rozmiarze

Nowe układy SiC1-MOSFET2 pozwalają ograniczyć pobór mocy o około 75% w porównaniu z poprzednimi modelami3. Dzięki temu moduły Full SiC DIPIPM4™ o bardzo małym rozmiarze zapewniają najniższe w branży zużycie energii5, co przyczynia się do zwiększenia energooszczędności klimatyzatorów w ujęciu rocznym.

1.
SiC: węglik krzemu
2.
MOSFET: tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
3.
Moduły DIPIPM serii 6 o bardzo małym rozmiarze (produkt krzemowy) PSS15S92F6 (15 A/600 V)
4.
DIPIPM: inteligentny moduł zasilania w obudowie typu Dual-In-Line
5.
W oparciu o wewnętrzne badania na dzień 17 sierpnia 2016 roku

Moduły GaN HEMT korzystające z pasma Ku dla stacji naziemnych śledzących ruch satelitów

Najwyższą w branży1 moc wyjściową o wartości 100 W modułów GaN2 HEMT3 osiągnięto dzięki zoptymalizowaniu struktury tranzystorów, ograniczeniu liczby elementów wzmacniacza mocy oraz zmniejszeniu stacji naziemnych. Dostępna jest gama produktów korzystających z istniejącego wzmacniacza mocy jako wydajnego stopnia sterującego, które można zintegrować z produktami firmy Mitsubishi Electric w celu spełnienia różnorodnych wymagań stacji naziemnych dla satelitów, pracujących w pasmie Ku4.

1.
Na dzień 27 września 2016 r.; w oparciu o wewnętrzne badania stacji naziemnych dla satelitów pracujących w pasmie Ku i korzystających z modułów GaN HEMT
2.
GaN: azotek galu
3.
HEMT: tranzystor HEMT
4.
Pasmo Ku: mikrofale o częstotliwościach z zakresu 12 GHz–18 GHz

Czerwona dioda laserowa wysokiej mocy o długości fali 639 nm do projektorów

Dzięki zoptymalizowanej strukturze epitaksjalnej i wielkości emitera czerwona dioda laserowa o długości fali 639 nm wytwarza najwyższą w branży1 moc wyjściową światła o stałym natężeniu wynosząca 2,1 W i pozwala uzyskać wysoką wydajność konwersji mocy równą 41%2. Ułatwia to komercjalizację dużych projektorów, które wymagają jasnego podświetlenia.

1.
W oparciu o wewnętrzne badania na dzień 14 grudnia 2016 roku
2.
Przy temperaturze obudowy 25˚C, moc wyjściowa światła o stałym natężeniu 2,1 W

Moduły TFT-LCD z panelami dotykowymi przeznaczone do zastosowań przemysłowych (ekran VGA 6,5 cala, ekran SVGA/XGA 8,4 cala, ekran WXGA 10,6 cala)

Te pojemnościowe panele dotykowe PCAP są wyposażone w ochronną szklaną warstwę o grubości 5 mm. Obsługują do 10 wejść czujnika dotykowego naraz i można ich używać w termoodpornych rękawicach lub przy mokrym ekranie. Doskonale sprawdzają się w zastosowaniach zewnętrznych wymagających odporności na uderzenia i działanie wody.

Wytrzymałe, kolorowe moduły TFT-LCD do zastosowań przemysłowych (ekran WVGA 7/8 cali)

Te wytrzymałe moduły wyróżnia szeroki zakres temperatur roboczych (od -40°C do 85°C), bardzo szeroki kąt widzenia (170° we wszystkich kierunkach) oraz odporność na drgania około siedmiokrotnie przewyższająca parametry konwencjonalnych modułów (6.8 G). Są przeznaczone do użytku w trudnych warunkach, takich jak środowisko maszyn budowlanych, rolniczych i produkcyjnych, wymagających stosowania uniwersalnych wyświetlaczy wysokiej jakości.